|
تفاصيل المنتج:
|
| مواد: | سيليكون | trr: | 500 نانوثانية |
|---|---|---|---|
| صفقة: | DO-201AD | ماكس.: | 800 فولت |
| ماكس.: | 3 أ | Max. ماكس. Forward Voltage التيار المتجه للامام: | 1.3 فولت |
| تسليط الضوء: | 404 Not Found,by399 diode,by399 DO 201AD diode |
||
| حرف او رمز | BY396 | BY397 | BY398 | BY399 | الوحدات | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
أقصى جهد عكسي متكرر
|
VRRM
|
100 | 200 | 400 | 800 |
الفولت
|
|
أقصى جهد RMS
|
VRMS
|
70 | 140 | 280 | 560 |
الفولت
|
|
أقصى جهد مانع للتيار المستمر
|
VDC
|
100 | 200 | 400 | 800 |
الفولت
|
|
الحد الأقصى لمتوسط طول التيار الأمامي المعدل 0.375 بوصة (9.5 مم) عند TA = 75 ℃
|
أنا (AV)
|
3.0 |
أمبير
|
|||
|
أقصى تيار للأمام 8.3 مللي ثانية نصف موجة جيبية متراكبة على الحمل المقدر (طريقة JEDEC)
|
IFSM
|
150.0 |
أمبير
|
|||
|
أقصى جهد أمامي لحظي عند 3.0A
|
VF
|
1.3 |
فولت
|
|||
|
الحد الأقصى للتيار العكسي للتيار المستمر TA = 25
عند تصنيف جهد التيار المستمر TA = 100 ℃
|
IR
|
10.0 100.0 |
µ
|
|||
|
الحد الأقصى لوقت الاسترداد العكسي (ملاحظة 1)
|
trr
|
500 | نانوثانية | |||
|
سعة الوصلة النموذجية (ملاحظة 2)
|
سي جيه
|
60.0 | ص | |||
|
المقاومة الحرارية النموذجية (ملاحظة 3)
|
ريجا
|
20.0 | ℃ / دبليو | |||
|
تقاطع التشغيل ونطاق درجة حرارة التخزين
|
TJ ، TSTG
|
-65 حتى +150
|
℃ | |||
رسم المنتج
اتصل شخص: Ms. Selena Chai
الهاتف :: +86-13961191626
الفاكس: 86-519-85109398
