|
تفاصيل المنتج:
|
| مواد: | سيليكون | صفقة: | DO-41 |
|---|---|---|---|
| trr: | 50ns | Max. ماكس. Forward Voltage التيار المتجه للامام: | 1.25 فولت |
| ماكس.: | 1 أ | ماكس.: | 600 فولت |
| تسليط الضوء: | mur160 ديود 1a 400 فولت,MUR120 ديود 1a 200 فولت,MUR160 ديود 1a 600 فولت |
||
| حرف او رمز | مور 105 | مور 110 | مور 120 | مور 140 | مور 160 | مور 180 | مور 1100 | الوحدات | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
أقصى جهد عكسي متكرر | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | الفولت |
أقصى جهد RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | الفولت |
أقصى جهد مانع للتيار المستمر | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | الفولت |
الحد الأقصى لمتوسط طول التيار الأمامي المعدل 0.375 بوصة (9.5 مم) عند TA = 75 ℃ | أنا (AV) | 1.0 | أمبير | ||||||
أقصى تيار للأمام 8.3 مللي ثانية نصف موجة جيبية متراكبة على الحمل المقدر (طريقة JEDEC) | IFSM | 30 | أمبير | ||||||
أقصى جهد أمامي لحظي عند 6.0 أمبير | VF | 0.95 | 1.25 | 1.65 | فولت | ||||
الحد الأقصى للتيار العكسي للتيار المستمر TA = 25 عند تصنيف جهد التيار المستمر TA = 100 ℃ 10 | IR | 5.0 50.0 | µ | ||||||
الحد الأقصى لوقت الاسترداد العكسي (ملاحظة 1) | trr | 25 | 50 | 75 | نانوثانية | ||||
سعة الوصلة النموذجية (ملاحظة 2) | سي جيه | 25.0 | ص | ||||||
المقاومة الحرارية النموذجية (ملاحظة 3) | ريجا | 50.0 | ℃ / دبليو | ||||||
تقاطع التشغيل ونطاق درجة حرارة التخزين | TJ ، TSTG | -55 حتى +150 | ℃ | ||||||
رسم المنتج
اتصل شخص: Ms. Selena Chai
الهاتف :: +86-13961191626
الفاكس: 86-519-85109398
