|
تفاصيل المنتج:
|
| VBO: | 28-36 فولت | نوع VBO: | 32 فولت |
|---|---|---|---|
| صفقة: | زجاج DO-35 | IBO: | 100μA |
| اكتب: | DIAC | نوع الحزمة: | من خلال ثقب |
| مواد: | سيليكون | قوة: | 150 ميجاوات |
| تسليط الضوء: | Diac Db3 Trigger Diode,Db3 Trigger Diode 150mW 32V,Db3 diac Trigger |
||
|
شرط الاختبار
|
حرف او رمز
|
القيمة
|
الوحدات
|
|||
| دقيقة. | النوع. | الأعلى. | ||||
|
الجهد الكسر
|
C = 22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
الفولت
|
|
تناظر الجهد الكسر
|
C = 22nF
|
أنا + VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
الفولت
|
|
|
الجهد الكسر الديناميكي
|
(ملاحظة 1)
|
IDV ± أنا
|
5 |
الفولت
|
||
|
انتاج التيار الكهربائي
|
الرسم البياني 2
|
صوت
|
5 |
الفولت
|
||
|
تيار الاختراق
|
C = 22nF
|
IBO
|
100 |
مللي أمبير
|
||
|
وقت الشروق
|
الرسم البياني 3 |
آر
|
1.5 |
آنسة
|
||
|
التسرب الحالي
|
VR = 0.5VBO
|
IB
|
10 |
مللي أمبير
|
||
|
تبديد الطاقة في الدوائر المطبوعة
|
تا = 65 ج
|
PD
|
150 |
ميغاواط
|
||
|
الذروة المتكررة على الحالة الحالية
|
tp = 20 مللي ثانية
f = 100 هرتز
|
ITRM
|
2 | أ | ||
|
المقاومة الحرارية من التقاطع إلى المحيط
|
RQJA
|
400 |
℃ / دبليو
|
|||
|
المقاومة الحرارية من التقاطع إلى الرصاص
|
RQJL
|
150 | ℃ / دبليو | |||
|
تقاطع التشغيل ونطاق درجة حرارة التخزين
|
TJ ، TSTG
|
125 | ℃ | |||
| يكتب | الجهد الكسر | الأعلى.تناظر جهد الكسر | الأعلى.ذروة كسر التيار | الأعلى.الجهد الكسر الديناميكي | الأعلى.ذروة التيار على الدولة | طرد | ||
| الخامس | الخامس | μA | الخامس | أ | ||||
| دقيقة. | النوع. | الأعلى. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | هل -35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | هل -35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | هل -35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | هل -35 |
اتصل شخص: Ms. Selena Chai
الهاتف :: +86-13961191626
الفاكس: 86-519-85109398
